松下電器產業株式會社汽車電子和機電系統公司實現對應扇出型晶圓級封裝（下稱FOWLP（※1））和面板級封裝（下稱PLP（※2））的顆粒狀半導體封裝材料的產品化，并將從2018年9月起開始對應樣品供應。為提高面向可穿戴式終端、移動體等便攜設備的較尖端半導體封裝的生產效率，降低制造成本做出貢獻。

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▼顆粒狀半導體封裝材料的詳細信息
https://industrial.panasonic.cn/ea/products/electronic-materials/semiconductor-encapsulation/ecom-super-fine/wlp-plp?ad=press20180829
https://industrial.panasonic.cn/cuif/ea/contact-us?field_contact_group=2797&field_contact_lineup=3243&ad=press20180829

在半導體封裝的高功能化、小型薄型化背景下FOWLP備受矚目。此外，為了降低半導體安裝工序的成本，有人提出了可設法增大半導體封裝取數的PLP方案。對此類半導體封裝的封裝材料提出的要求是，能夠使得大面積晶圓和面板無翹曲地均一地封裝，及與各種部件材料之間具有優異的親和性。松下電器此次實現了滿足這些要求的顆粒狀半導體封裝材料的產品化。

松下電器的半導體封裝材料品種齊全，包括適合于封裝厚度在200μm以下的薄型封裝的片狀類型和以往的液狀類型，加上此次實現產品化的顆粒狀類型，我們將作為配合半導體封裝的形態、工藝的解決方案予以提供。

■顆粒狀半導體封裝材料的特征：
1. 低翹曲和高流動性兼而有之，為提高半導體封裝的生產效率做出貢獻
2. 與形成電路所需的絕緣性聚酰亞胺(Polyimide)的親和性優異，可對應各種生產工藝

■用途
用于可穿戴式終端、移動體等便攜設備上的應用程序處理器和電源管理IC等較尖端半導體封裝（FOWLP、PLP、FOSiP（※3）、WLCSP（※4）等）

■備注
將于2018年9月5日（周三）～7日（周五）在臺北南港展覽館Taipei Nangang Exhibition Center上舉辦的2018臺灣國際半導體展中展出本產品。

■特征的詳細說明
1. 低翹曲和高流動性兼而有之，為提高半導體封裝的生產效率做出貢獻
大尺寸的大塊晶圓和面板在與封裝材料成型后，一旦出現翹曲或扭曲就會影響到后續工序內的作業性，因此必須降低翹曲。松下電器借助其獨特的低收縮且低應力的材料技術開發，在不影響封裝材料流動性的前提下實現低翹曲，由此為提高半導體封裝的生產效率做出貢獻。
2. 與形成電路所需的絕緣性聚酰亞胺(Polyimide)的親和性優異，可對應各種生產工藝
要形成高精度的電路，必須具備的條件是絕緣性聚酰亞胺(Polyimide)與封裝材料的高親和性。松下電器借助其獨特的樹脂設計技術，與聚酰亞胺(Polyimide)的親和性高，不僅在后上芯工藝（※5）中可實現穩定生產，而且在先上芯工藝（※6）中也可實現穩定生產，從而提高客戶選擇生產方式的自由度。

■銷售地區：全球

■基本規格和適用尺寸、推薦封裝方法
供給形狀：顆粒狀
型號：X851C系列、X851D系列
適用封裝：FOWLP、FOSiP、WLCSP、PLP等
推薦對應尺寸：直徑300mm的晶圓、300×300mm以上的面板
適用封裝厚度：300～1000μm
封裝方式：壓縮成型
推薦成型溫度：130～175℃
對應生產方式例：先上芯工藝（X851C系列）、后上芯工藝（X851D系列）

■術語說明
※1：扇出型晶圓級封裝（FOWLP）
能夠形成比IC芯片尺寸更大的封裝尺寸的封裝形態之一。
※2：面板級封裝（PLP）
在薄型的大塊四方形面板上并排多枚芯片進行批量成型的封裝制作手法。一般情況下是在比300mm方形面板更大的大塊面板上被成型，作為大量且高效生產的工藝備受矚目。
※3：系統級扇出型封裝（FOSiP）
FOWLP中，在1個封裝件內包含有多個IC芯片的封裝。
※4：晶圓級芯片規模封裝（WLCSP）
系過去就存在的封裝形態之一，IC芯片與封裝件的外形尺寸完全相同的封裝。
※5：后上芯工藝
屬于FOWLP的制造工藝，先形成配線層，之后封裝IC芯片的工藝。
※6：先上芯工藝
屬于FOWLP的制造工藝，先封裝IC芯片，之后形成配線層的工藝。

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